品牌 德普微
封裝 SOP-7
產(chǎn)品類(lèi)型 整流管
型號(hào) DP
VDD Supply Voltage 11 ~27 V
產(chǎn)品編號(hào) 10524169
Operating Ambient Temperature -40~ 85°C
INV Input Voltage -0.3 to 7V
Min/Max Storage Temperature -55 to 150 °C
Lead Temperature 260 °C
Drain Voltage (off state) -0.3 to 600V
商品介紹
深圳市騰華泰電子有限公司主營(yíng):DK112,DK1203,DK124

電源解決方案需要在寬帶寬范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)低輸出電壓噪聲(或低輸出紋波),因?yàn)楝F(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)具有多個(gè)電源軌,其中噪聲靈敏度是設(shè)計(jì)的主要考慮因素。隨著FPGA對(duì)速度要求的提高,電源噪聲容差逐漸降低,以地減少誤碼。噪聲引起的數(shù)字故障會(huì)大大降低這些高速PLD的有效數(shù)據(jù)吞吐速率。大電流下的輸入電源噪聲成為對(duì)電源要求較嚴(yán)苛的規(guī)范之一。由于的幾何電路開(kāi)關(guān)會(huì)產(chǎn)生高功耗,因此收發(fā)器速率越高(例如在FPGA中),電流水平就越高。這些IC速度很快。它們可能在幾十至幾百納秒內(nèi)使負(fù)載電流從接近零到數(shù)安培循環(huán),因此需要使用超快速瞬態(tài)響應(yīng)的穩(wěn)壓器。

使用東科18W高集成PD快充參考設(shè)計(jì)給三星S10+充電,顯示電壓9.09V,電流1.62A,充電功率約為14.76W,開(kāi)啟USBPD快充。使用東科18W高集成PD快充參考設(shè)計(jì)給小米9充電,顯示電壓9.08V,電流1.76A,充電功率約為16.02W,開(kāi)啟USBPD快充。使用東科18W高集成PD快充參考設(shè)計(jì)給華為P30Pro充電,顯示電壓9.1V,電流1.3A,充電功率約為11.83W,開(kāi)啟USBPD快充。此外,東科18W高集成1A1C快充參考設(shè)計(jì)同樣具有小尺寸的特點(diǎn),大小與蘋(píng)果18W快充相當(dāng),并且PCB板余量充足,客戶(hù)在設(shè)計(jì)時(shí)可以進(jìn)一步壓縮PCB板尺寸。這套18W1A1C快充參考設(shè)計(jì)背面電路設(shè)計(jì)精簡(jiǎn),這也得益于DK218M以及DK5V85R15C的采用,初級(jí)和次級(jí)各用一顆即可實(shí)現(xiàn)AC-DC功能。

對(duì)于下側(cè)晶體管的基極只有比發(fā)射極低0.6V以后才能工作。所以,體現(xiàn)在波形上就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)交越失真的盲區(qū)。不過(guò),此電流稍加修改就是一個(gè)很好用的電路了,思路很簡(jiǎn)單,用兩個(gè)二極管在每個(gè)晶體管的基極上加上大概0.6V的二極管的正向壓降--補(bǔ)償電壓,就可以抵消晶體管的盲區(qū)了。如下圖所示:此電路用兩個(gè)二極管的壓降抵消晶體管的基極-發(fā)射極間的電壓Vbe,可以認(rèn)為晶體管的空載電流幾乎為0。所以當(dāng)不存在信號(hào)時(shí),就也沒(méi)有晶體管的發(fā)熱問(wèn)題。順便提一下,這個(gè)電路中在輸出狀態(tài)總有一個(gè)晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)的電路稱(chēng)之為B類(lèi)放大器,舉一反三的,如果只有一個(gè)管子且晶體管常進(jìn)行工作的電路稱(chēng)之為A類(lèi)放大器。
聯(lián)系方式